中微半导体设备（上海）有限公司

中微半导体设备（上海）有限公司（以下简称“中微”）是国内集成电路高端装备的领军企业。自2004年成立以来，中微公司一直致力于向全球领先的集成电路和LED芯片制造商，提供具有自主知识产权和国际先进水平的高端设备和相关工艺技术。其所专长的纳米级刻蚀技术和薄膜技术是众多微观加工的核心。

公司目前有600多名员工，其中约四分之一来自美国、日本、韩国、新加坡、台湾等地。中微公司的董事长兼首席执行官尹志尧博士是集成电路装备领域较早响应中国政府号召的归国创业者之一。他曾在美国硅谷20年致力于等离子体刻蚀设备的开发及产品管理，参与并领导了业界一半以上成功的等离子体刻蚀设备的开发，是几代等离子体刻蚀设备的主要发明人和工业化应用的推动者。他曾在全球最大的半导体设备公司担任产品研发负责人、总公司副总裁等职。尹志尧博士也是我国半导体装备领域刻蚀设备能够率先达到国际先进水平并有规模地进入国际市场的领军人物。

中微公司目前主要有三大类产品：用于纳米级芯片生产的介质刻蚀设备（D-RIE）、用于三维 芯片等多种产品生产的硅通孔刻蚀设备（TSV）和用于半导体照明和功率器件芯片生产的金属有机化合物气相沉积设备（MOCVD）。

中微公司成功研发的具有自主知识产权的介质刻蚀机已打入国际市场，被广泛应用于海内外一流客户芯片生产线从65纳米到7纳米工艺的芯片加工制造，已在国内外27条高端芯片生产线实现大规模量产。中微自主研发生产的介质刻蚀机也是唯一进入国际领先客户7纳米制程的中国大陆设备。截至2018年5月底，中微已有500多个等离子体刻蚀反应台在海内外20多条生产线上高质量、稳定地生产了5800多万片晶圆。中微公司在高端介质刻蚀设备领域已跻身全球三强。

美国商务部在实地考察了中微和中芯国际后，2015年2月9日美发布公告，由于“中国事实上已经有能力从中国的来源得到批量的且有相当质量的此类刻蚀设备”，将等离子体刻蚀设备从“常规武器和两用物品及技术出口控制”的“两用”清单中移除，即不再限制对华出口刻蚀设备。这标志着打破西方国家在集成电路高端装备的垄断和对中国封锁的目标实现了。

在刻蚀领域，中微公司还开发了8英寸和12英寸TSV（硅通孔）刻蚀设备，已被应用于影像感测器芯片、先进封装芯片，和MEMS芯片、2.5D Interposer等芯片的加工制造。中微硅通孔刻蚀设备已被国内众多先进封装企业选用，并已进入国际级领先企业的MEMS生产线。

中微公司自主研发生产的Prismo系列MOCVD设备，是国内最早成功进入多家主要LED和功率器件生产企业生产线并实现大规模量产的设备。该设备可配置1到4个反应腔，每个反应腔均可独立控制，也可多反应腔联动控制；716mm直径的大托盘可一次放置34片4吋LED基板，是市场上产能最高的设计之一；独特的MO双区输入，将大面积外延的均匀性提升到了新的水平，能完全满足用户需求。精准的参数控制、全自动的装卸和生产过程、简便的操作与维护、可连续加工100批次以上不需要开腔清洁等突出优点，以及符合SEMI S2标准的设计，使Prismo A7?在生产线上具有高可靠性、高重复性和高生产良率等特点和表现。Prismo A7?是目前世界上单炉LED产能最高、单位能耗最低的MOCVD 机台，其他各项技术指标也均已达到了目前世界先进水平。

目前，中微的Prismo A7? MOCVD设备在蓝绿光半导体照明国内市场的份额已经超过70%，打破了国外公司在MOCVD设备市场的长期垄断。截至2018年5月底，中微已运出150台MOCVD反应腔，并已高质量地加工了1700多万片外延片。

中微公司及其所研发的高端芯片制造设备先后60余次在国内外获得知名奖项，包括行业权威《Semiconductor International》（《半导体国际》）杂志颁发的“2009年全球最佳产品奖”、上海市政府颁发的“2009年度上海市科技进步奖一等奖”和“2011年度上海市科技进步奖二等奖”、国家科技发展重大专项（“02专项”）授予的“2010年度优秀团队奖”、“2011年度突出成果奖”和“2012年度优秀项目团队奖”、“第十五届中国国际工博会银奖”以及“第十六届中国国际工博会金奖”等。此外，中微在VLSIresearch（美国领先的半导体行业市场研究公司）举办的2018年度全球客户满意度调查中荣登上榜，在多项排名中位居前列，其中在全球晶圆制造设备供应商（THE BEST Suppliers of Fab Equipment）中排名第三。

在创新性保护方面，截至2018年6月底，中微公司已申请了1209项专利（包括国内专利674项、海外专利535项），其中840项已获授权。