信德迈公司专注于半导体设备，备件业务 - 半导体MRO备品备件

我们专业提供半导体设备备品备件业务。 前道设备CVD, PVD, Etcher, Scanner, Track,Implanter, Fumace, RTP, CMP, Metrology, Asher, WET, Stepper等；封装测试设备Prober, Tester, Handler, Sawing, Grinder, Die Bonder, Wire Bonder, Molding, Trim Form, Laser Marking, SMT等。产品涵盖：等离子刻蚀（Etch）、物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）、氧化/扩散、清洗、退火等半导体工艺装备；平板显示制造装备和气体质量流量控制器等核心零部件。涉及集成电路、先进封装、LED、MEMS、电力电子、平板显示、光伏电池等半导体相关领域。包括光刻系统,刻蚀系统,匀胶系统,离子注入系统,溅射系统,扩散系统,清洗腐蚀系统,以及测试系统等, 备品备件可以分别应用于刻蚀机（ETCH）、物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）、离子注入（IMP）、炉管（FURNACE）等半导体设备。

集成电路晶圆生产七大类生产设备：扩散炉，光刻机，刻蚀机，离子注入机，薄膜沉积设备，化学机械抛光机，清洗机。集成电路设备是人类迄今制造过的最复杂的设备之一。要造出先进的集成电路芯片，需要经过1000多个工艺步骤、涉及上千种材料、用到数百种专用设备，而每一种设备和工艺又涵盖了几十个学科和工程知识。目前，那些核心设备只有美国、日本和荷兰少数几个国家才能制造。

电容耦合等离子体刻蚀设备

- 备品备件 Parts - 半导体装备 Semiconductor - 产品&服务 半导体装备的备品备件

等离子刻蚀设备 Etcher
物理气相沉积设备 PVD
化学气相沉积设备 CVD
氧化扩散设备 Oxide/Diff
清洗设备 Cleaning Tool
紫外固化设备 UV Cure
移载传送设备 Indexer
辅助设备 Facility
气体测量控制 Gas Measuring Control
备品备件 Parts
客户服务 Services
应用领域
集成电路 IC
光伏电池 Photovoltaic
先进封装 Advanced Packaging
科研设备 R&D Equipment
微机电系统 MEMS
真空镀膜 Vacuum Coating
半导体照明 LED
分析仪器 Analysis Instrument
功率器件 Power Devices
节能环保 Energy Saving
平板显示 FPD
光通信器件 Optical Information Devices
燃料电池 FC
备品备件 Parts
化合物半导体 Compound Semi
客户服务 Services负载点电源模块 POL Power Supply Module
晶体器件 Crystal Device
精密电阻器 Precision Resistor
微波组件 Microwave Module
新型钽电容器 Tantalum Capacitor
PECVD设备
扩散炉Diffusion

泛半导体、半导体及太阳能市场
Horiba品牌流量计
MFC气体质量流量控制器
美国Tylan气体质量流量控制器
Tylan Mass Flow Controllers & Meters
Brooks Instrument
Brooks Mass Flow Controllers & Meters
Brooks Instrument mass flow controllers
荷兰Bronkhorst Mass Flow Meter / Mass Flow Controller
Horiba气体质量流量控制器
HORIBA mass flow controllers & meters
HORIBA Mass Flow Controllers and Mass Flow Meters (MFC & MFM)

清洁室

电感耦合等离子体刻蚀设备，用于制造最先进的存储和逻辑芯片

- 化学气相沉积PECVD

工艺研发PECVD平台包括常用的2"-8"常用工件尺寸，生产PECVD设备为定制的以产能为基础的系统集成平台，工件通常为平方米级。

多工艺模块PECVD ：多个工艺模块的PECVD平台，可以进行多种工艺处理，工件尺寸100-250mm，模块由带真空机械手的传输室链接，一个LoadLock预装卸工件组。可配置PECVD、溅射、HCPD、加热等模块，对常用材料沉积工艺进行了优化，如a-Si,u-Si,SiO2,SiNx,ITO,AZO及金属材料等，在温度均匀性控制、布气、RF匹配和放电稳定性、射频工作以及安全防护等多方面进行优化处理。工艺参数采用流程编制，整机可全自动执行复杂工艺、多种沉积类型的材料制作。
单工艺模块PECVD

单室PECVD工艺模块：可以处理100-250mm工件常规PECVD工艺，设备可配置一个LoadLock预装卸工件。模块采用成熟优化的硬件结构，在温度均匀性控制、布气、RF匹配和放电稳定性、射频工作以及安全防护方面进行优化设计。设备可以进行多种材料沉积。

6室PECVD工艺研发平台 ：成熟的100mm多室PECVD实验研发平台，5个模块由带真空机械手的传输室链接，一个LoadLock预装卸工件。工艺硬件包括射频RF、甚高频、热丝HW等PECVD沉积环境，基本配置包括真空至10-6Pa的超高真空系统，加热至600℃的外置加热系统，特别在温度均匀性控制、布气、射频工作以及安全防护方面进行优化设计。适合沉积如a-Si,u-Si,SiO2,SiNx等材料薄膜。工艺参数采用流程编制，整机可全自动执行复杂工艺操作。

多室量产PECVD生产设备

单室量产PECVD设备 ：单室量产型PECVD是成熟的低成本非晶硅薄膜生长设备，硬件采用大型单一热壁真空室和双路真空系统结构，优化的气流布局和多路抗干扰RF放电设计，单次可处理数十平方米的工件面积，同时还可以进行复杂的多种特性a-Si材料沉积，是生产非晶硅薄膜电池的最具性价比的核心设备。

多室量产PECVD设备 ：多室量产PECVD生产设备采用多工艺室多层结构。内部由大型机械手在真空传输室中交换不同工艺环境，所有工艺采用独立真空环境和供排气系统，避免工艺交叉污染提高生产节奏，设备具有高产能和高工艺性能特点。

- MOCVD设备 - 金属有机化合物气相沉积设备 高温MOCVD装备 氮化物基深紫外光电材料产业，开展氮化物紫外、深紫外以及高温功率微电子外延材料用设备制造、外延片生产和芯片生产。高温氮化物MOCVD；高温MOCVD装备和工艺；深紫外LED外延芯片的加工工艺；深紫外UV LED外延芯片的产

高温MOCVD装备

MOCVD是金属有机化合物化学气相淀积Metal-organic Chemical Vapor DePosition的英文缩写

MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术.它以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃,用射频感应加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方),H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。

MOCVD技术具有下列优点:
　　
(l)适用范围广泛，几乎可以生长所有化合物及合金半导体; 　　
(2)非常适合于生长各种异质结构材料; 　　
(3)可以生长超薄外延层，并能获得很陡的界面过渡; 　　
(4)生长易于控制; 　　
(5)可以生长纯度很高的材料; 　　
(6)外延层大面积均匀性良好; 　　
(7)可以进行大规模生产。

MOCVD系统组成
　　
因为MOCVD生长使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物质，并且要生长多组分、大面积、薄层和超薄层异质材料。因此在MOCVD系统的设计思想上，通常要考虑系统密封性，流量、温度控制要精确，组分变换要迅速，系统要紧凑等。不同厂家和研究者所产生或组装的MOCVD设备是不同的，但一般来说,MOCVD设备是由源供给系统、气体输运和流量控制系统、反应室及温度控制系统、尾气处理及安全防护报警系统、自动操作及电控系统等组成。 　　

l)源供给系统 　　
包括Ⅲ族金属有机化合物、V族氢化物及掺杂源的供给。金属有机化合物装在特制的不锈刚的鼓泡器中，由通入的高纯H2携带输运到反应室。为了保证金属有机化合物有恒定的蒸汽压，源瓶置入电子恒温器中，温度控制精度可达0.2℃以下。氢化物一般是经高纯H2稀释到浓度5%一10%后，装入钢瓶中，使用时再用高纯H2稀释到所需浓度后，输运到反应室。掺杂源有两类，一类是金属有机化合物，另一类是氢化物，其输运方法分别与金属有机化合物源和氢化物源的输运相同。 　　

2)气体输运系统 　　
气体的输运管都是不锈钢管道。为了防止存储效应，管内进行了电解抛光。管道的接头用氢弧焊或VCR及Swagelok方式连接，并进行正压检漏及Snoop液体或He泄漏检测，保证反应系统无泄漏是MOCVD设备组装的关键之一。流量是由不同量程、响应时间快、精度高的质量流量计和电磁阀、气动阀等来实现。在 　　真空系统与反应室之间设有过滤器，以防油污或其它颗粒倒吸到反应室中。为了迅速变化反应室内的反应气体，而且不引起反应室内压力的变化，设置“run”和“vent，，管道。 　　

3)反应室和加热系统 　　
反应室是由石英管和石墨基座组成。为了生长组分均匀、超薄层、异质结构的化合物半导体材料，各生产厂家和研究者在反应室结构的设计上下了很大功夫，设计出了不同结构的反应室。石墨基座是由高纯石墨制成，并包裹SIC层。加热多采用高频感应加热，少数是辐射加热。由热电偶和温度控制器来控制温度，一般温度控制精度可达到0.2℃或更低。 　
　

4)尾气处理系统 　　
反应气体经反应室后大部分热分解，但还有部分尚未完全分解，因此尾气不能直接排放到大气中，必须先进行处理，处理方法主要有高温热解炉再一次热分解，再用硅油或高锰酸钾溶液处理;也可以把尾气直接通入装有H2SO4+H2O及装有NaOH溶液的吸滤瓶处理;也有的把尾气通入固体吸附剂中吸附处理，以及用水淋洗尾气等。 　　

5)安全保护及报警系统 　　
为了安全，一般的MOCVD系统还备有高纯从旁路系统，在断电或其它原因引起的不能正常工作时，通入纯N2保护生长的片子或系统内的清洁。在停止生长期间也有常通高纯N2保护系统。 　　

6)手动和自动控制系统 　　
一般MOCVD设备都具有手动和微机自动控制操作两种功能。在控制系统面板上设有阀门开关、各个管路气体流量、温度的设定及数字显示，如有问题会自动报警，是操作者能及时了解设备运转的情况。此外，MOCVD设备一般都设在具有强排风的工作室内。
目前全球及国内的MOCVD系统
　　

随着化合物半导体器件(如 GaAs MMIC、 InP MMIC以及GaN蓝光LED)市场的不断扩大，MOCVD系统的需求量不断增长。目前国际上实力最为雄厚的MOCVD系统制造商有:德国Aixtron公司、美国的Emcore公司、英国的Thomass~(1999年被Aixtron兼并)等。因为MOCVD系统最关键的问题就是保证材料生长的均匀性和重复性，因此不同厂家的MOCVD系统最主要的区别在于反应室结构。Aixtron采用行星反应(Planetary Reactor)，Emcore采用TurboDisc反应室(该业务己出售给Veeeo公司)、Thomas Swan(该公司于2003年2月份被Aixtron兼并)采用 Closed Coupled Showerhead(CCS)反应室。
　　

目前国内拥有的进口MOCVD系统数十台，其中 Aixtron MOCVD系统和Emcore MOCVD系统占绝大多数，有少量的 Thomas Swan MOCVD系统、法国ASM MOCVD系统和日本RIPPON SANSO MOCVD系统，主要用于GaN LD/LED的研究和制造。

电子备件部：主营变频器、PLC、人机界面、数控系统、伺服电机、变频电机、直线导轨、丝杠轴承、减速机、传感器、低压电器、仪器仪表、气动等产品，SANYO三洋、东方马达ORIENTAL、富士、台达、eview、步科、昆仑通泰、和泉、施耐德、三菱、日本岛电、天得、山河、希曼顿、安良等品牌并且对各个品牌提供售后备件服务。

2017年全球芯片产业营收达到4122亿美元，创下有史以来的新高。中国作为全球第一大电子产品市场，对芯片具有大量的需求，但总体而言，全球芯片产业主要市场份额仍然被美国、韩国等国外厂商占据，中国市场长期以来都严重依赖进口。根据中国半导体行业协会统计，2017年中国集成电路的产品需求达到1.4万亿元人民币，但国内自给率仅为38.7%，中国在集成电路产业上的发展仍任重道远。

近期英特尔、三星、台积电等行业领军企业纷纷投入巨资在南京、合肥、成都、西安、大连等城市合资构建多条12英寸工艺线，为我国集成电路产业深度发展提供了更好平台和更多可能性。国际跨国大企业在华发展策略逐步调整，国内企业资源整合、国际合作加快推进。 英特尔、高通等国外领先企业不断拓展与我国合作，英特尔在大连建设12英寸非挥发性存储器(NVRAM)生产线，台积电、联电分别在南京、厦门等地投资建设12英寸先进生产线，格罗方德在成都建设12英寸生产线，ARM（中国）落户深圳。

我国政府的高度关注集成电路产业，不仅先后安排了“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”（简称“核高基”专项）和“极大规模集成电路制造技术及成套工艺”（简称“02专项”）两个重大专项，更是在2014年6月发布了《国家集成电路产业发展推进纲要》，成立了千亿级别的集成电路产业投资基金。目前我国已经通过合资的方式建成了中芯国际、上海华力、长江存储等三家拥有12英寸生产线的芯片生产企业，中芯国际目前位列全球第四大晶圆代工，量产工艺水平已达到28nm，海思半导体进入世界前十半导体设计企业，长电科技位列全球第三大封装企业，这些初具规模的行业领军企业为我国集成电路产品提供了良好土壤。

中国集成电路产业主要集中在以北京为核心的京津冀、以上海为核心的长三角、以深圳为核心的珠三角及以四川、重庆、陕西、湖北、湖南、安徽等为核心的中西部地区。其中京津冀、长三角以及珠三角地区发展较早，是国内集成电路设计、制造、封测的核心地区，而中西部地区近年来发展活跃，是集成电路产业发展的第二梯队。

装备与材料：
依托重大专项成果，推进光刻、刻蚀、离子注入等核心装备。抓住产能扩张时间窗口，扩大装备应用。
推动大硅片、光刻胶等关键核心材料的产业化，推进高纯电子气体、化学品等形成持续稳定供应能力。